RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
73
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
43
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
11.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2532
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link