Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 11.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 73
    Rund um -70% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 1,423.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,510.5 left arrow 11.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,423.3 left arrow 9.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    476 left arrow 2532
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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