RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2014
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link