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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2014
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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