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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
34
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3184
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
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