RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
38
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2298
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link