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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3147
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
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