RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2904
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link