RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2904
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link