RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
8.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
49
Velocità di lettura, GB/s
12.8
8.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2331
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link