Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 61
    Intorno 57% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 8.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.6 left arrow 12.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 61
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.8 left arrow 17.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 8.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2143 left arrow 2113
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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