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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
61
左右 57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
61
读取速度,GB/s
12.8
17.6
写入速度,GB/s
9.0
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2113
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9905403-181.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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