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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3473
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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