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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
50
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
50
Velocità di lettura, GB/s
13.3
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2326
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Confronto tra le RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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