RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2326
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link