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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
45
Velocità di lettura, GB/s
13.3
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2281
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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