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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
45
读取速度,GB/s
13.3
11.4
写入速度,GB/s
8.5
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2281
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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