RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3136
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link