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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
50
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
34
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2763
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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