RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2763
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link