RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2763
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link