takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Gesamtnote
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 15.4
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 50
    Rund um -47% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 1,457.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    50 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,757.3 left arrow 15.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,457.4 left arrow 11.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    557 left arrow 2763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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