RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2680
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link