RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2748
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link