RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
49
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
43
Velocità di lettura, GB/s
10.9
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2867
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link