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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
51
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2932
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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