RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2932
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link