RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
51
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
31
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2994
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link