RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
51
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
22
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2809
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link