RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
51
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2809
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link