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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
51
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
25
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3061
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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