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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3061
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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