RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3657
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5471-035.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link