RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Inmos + 256MB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
12800
Intorno 1.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
16800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2318
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link