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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Inmos + 256MB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 51
    周辺 -70% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 12800
    周辺 1.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 2318

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Jinyu 16GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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