RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
51
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
37
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2592
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link