RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
75
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
75
Velocità di lettura, GB/s
11.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
1763
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link