RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
75
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
75
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1763
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link