RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2892
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link