RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2892
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link