Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 51
    Intorno -82% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.8 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    51 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.8 left arrow 14.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2208 left arrow 2014
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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