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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
14.8
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2014
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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