RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
76
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.3
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
76
Velocità di lettura, GB/s
9.8
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1260
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link