RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
77
Intorno -208% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
25
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2914
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link