RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3579
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link