RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3579
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link