RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
49
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
21
Velocità di lettura, GB/s
10.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2807
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link