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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
47
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
32
Velocità di lettura, GB/s
9.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3726
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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