RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
47
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3726
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link