RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
49
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
22
Velocità di lettura, GB/s
10.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2648
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link