RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2648
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link